文章搜索
首页 | 求购 | 供应 | 资讯 | 科技 | 价格 | 市场 | 展会 | 杂志 | 求职 | 招聘 | 管理 | 培训 | 物流 | 专题 | 使用维修 | 标准 | 专家 | 邮箱 | 帮助 | 企业黄页
  您所在的位置: 首页 >> 新闻资讯 >> 科技新闻 >> 国内首个256位分子存储器电路研制成功
国内首个256位分子存储器电路研制成功
【信息来源:互联网  2008-5-20】
记者日前从中国科学技术大学获悉,中国科学院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室借助中科大国家同步辐射实验室二次x射线光刻工艺,近日成功研制出国内首个256位分子存储器电路。 中国国际模具网
据介绍,分子电路是指在分子层次上构筑的电子器件及其集成电路,是后摩尔时代接替硅基电路最受关注的方向之一,它能够使电子器件的关键尺寸缩小到分子尺度,推动集成电路向更小尺寸、更高集成度方向发展。 中国国际模具网
微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室的研究人员在深入研究后成功研制了国内首个256位分子存储器电路。该存储器电路的特征尺寸达到250nm(纳米),电学性能优异。这一进展为我国分子电路的高集成度、高速度和低功耗的实现奠定了重要基础,有力推动了我国分子电子学的发展。中国国际模具网
中国国际模具网
打印此页】  【收藏此页】  【关闭此页
本信息真实性未经本站证实,仅供参考。资料来源于互联网,如果损害到您的利益请联系我们处理。
    热点新闻
    相关新闻
关于我们 | 广告服务 | 招聘信息 | 服务条款 | 免责条款 | 站点地图 | 联系我们 | 法律顾问 | 意见反馈 | 友情链接 | 网站帮助
Copyright 2006-2010 Mouldintl Corporation, All Rights Reserved
隐私保护 铂地投资有限公司 版权所有 苏ICP证07017316
客户服务热线:051257826772 文明办网文明上网举报电话:051257826772 举报邮箱:customer#mouldintl.com(请在复制时将#替换成@)